KIA8N60HF,KIA8N60HF pdf中文资料,KIA8N60HF引脚图,KIA8N60HF电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> KIA8N60HF

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KIA8N60HF: 产品描述漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，7.5A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小193KB，共6页; 制造商可易亚半导体(KIA Semiconductors); 官网地址http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm; 深圳市可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大功率场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

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KIA8N60HF概述

漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，7.5A

KIA8N60HF规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	7.5A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	1.2Ω @ 3.75A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	48W(Tc)
类型	N沟道

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