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KIA65R190FS: 产品描述漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道 N沟道 20A 650V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小591KB，共6页; 制造商可易亚半导体(KIA Semiconductors); 官网地址http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm; 深圳市可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大功率场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

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KIA65R190FS概述

漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道 N沟道 20A 650V

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