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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> KIA2906AH
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KIA2906AH

产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，60V，130A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小490KB，共6页
制造商可易亚半导体(KIA Semiconductors)
官网地址http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm
深圳市可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大功率场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
下载文档 详细参数 全文预览

KIA2906AH概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，60V，130A

KIA2906AH规格参数

参数名称属性值
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）130A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻7mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）300W(Tc)
类型N沟道

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