H4422S,H4422S pdf中文资料,H4422S引脚图,H4422S电路-Datasheet-电子工程世界

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H4422S: 产品描述30V 11A N沟道增强型MOSFET; 产品类别分立半导体; 文件大小174KB，共5页; 制造商台湾华昕(HSMC)

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H4422S概述

30V 11A N沟道增强型MOSFET

功能特点

产品名称：30V 11A N沟道增强型MOSFET

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V,11A)

产品型号：H4422S

产品特征：

RDS(on)=13.5mΩ@VGS=10V, ID=11A;

RDS(on)=24mΩ@VGS=4.5V, ID=5A

Advanced trench process technology

High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance

参数：

Channel 频道: N

VDSS 电压：30V

ID 电流: 11A

VGS 启动电压: ±20V

RDS（on）Max.导通电阻：0.0135ohm

RDS(on) @VGS : 10V

RDS(on) @ID：11A

ESD Protected ：NO

ROSH ：PF(无铅)

Package：SO-8

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