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H2N7000

产品描述60V 0.2A N沟道增强模式晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小52KB,共5页
制造商台湾华昕(HSMC)
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H2N7000概述

60V 0.2A N沟道增强模式晶体管

功能特点

产品名称:60V 0.2A N沟道增强模式晶体管


N-Channel Enhancement Mode Transistor


产品型号:H2N7000


产品描述


The H2N7000 is designed for high voltage, high speed applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.




参数:


Channel 频道: N


VDSS 电压:60V


ID 电流: 0.2A


VGS 启动电压: ±20V


RDS(on)Max.导通电阻:5ohm


RDS(on) @VGS : 10V


RDS(on) @ID:0.5A


ESD Protected :NO


ROSH :PF(无铅)


Package:TO-92


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