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H12N60F: 产品描述600V 12A N沟道功率MOSFET; 产品类别分立半导体; 文件大小150KB，共4页; 制造商台湾华昕(HSMC)

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H12N60F概述

600V 12A N沟道功率MOSFET

功能特点

产品名称：600V 12A N沟道功率MOSFET

N-Channel Power MOSFET (600V, 12A)

产品型号：H12N60F

产品特征：

H10N60F is a High voltage N Channel enhancement mode power MOSFET chip fabricated in advanced silicon epitaxial planar technology

Advanced termination scheme to provide enhanced voltageblocking capability

Avalanche Energy Specified

Source to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode;

The packaged product is widely used in AC-DC power suppliers, DCDC converters and H bridge PWM motor drivers

产品应用：

Switch Mode Power Supply

Uninterruptable Power Supply

High Speed Power Switching

参数：

Channel 频道: N

VDSS 电压：600V

ID 电流: 12A

VGS 启动电压: ±30V

RDS（on）Max.导通电阻：0.8ohm

RDS(on) @VGS : 10V

RDS(on) @ID：6A

ROSH ：PF（无铅）

Package：TO-220FP

求这个程序的详细解释，本人刚接触单片机，有很多不懂得地方，希望大家帮帮忙: [img=50,50]"C:\Documents and Settings\Administrator\桌面\图片\仿真0.jpg"[/img]void decodenum(float adv,uchar chn){uint temp;temp=(uint)(adv*100);dispdata[0]=temp/100;dispdata[1]=temp/10%10;dispdata[2]=temp%...; 魅影穿眸单片机

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