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H10N65E: 产品描述650V 10A N沟道功率MOSFET; 产品类别分立半导体; 文件大小171KB，共6页; 制造商台湾华昕(HSMC)

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H10N65E概述

650V 10A N沟道功率MOSFET

功能特点

产品名称：650V 10A N沟道功率MOSFET

N-Channel Power MOSFET (650V, 10A)

产品型号：H10N65E

产品特征：

H10N65 is a High voltage N Channel enhancement mode power MOSFET chip fabricated in advanced silicon epitaxial planar technology

Advanced termination scheme to provide enhanced voltageblocking capability

Avalanche Energy Specified

Source to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode;

The packaged product is widely used in AC-DC power suppliers, DCDC converters and H bridge PWM motor drivers

产品应用：

Switch Mode Power Supply

Uninterruptable Power Supply

High Speed Power Switching

参数：

Channel 频道: N

VDSS 电压：650V

ID 电流: 10A

VGS 启动电压: ±30V

RDS（on）Max.导通电阻：1ohm

RDS(on) @VGS : 10V

RDS(on) @ID：5A

ROSH ：PF（无铅）

Package：TO-220AB

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