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H10N60E

产品描述600V 10A N沟道功率MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小205KB,共5页
制造商台湾华昕(HSMC)
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H10N60E概述

600V 10A N沟道功率MOSFET

功能特点

产品名称:600V 10A N沟道功率MOSFET


N-Channel Power MOSFET (600V, 10A)


产品型号:H10N60E



产品特征:


H10N60 is a High voltage N Channel enhancement mode power MOSFET chip fabricated in advanced silicon epitaxial planar technology


Advanced termination scheme to provide enhanced voltageblocking capability


Avalanche Energy Specified


Source to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode;


The packaged product is widely used in AC-DC power suppliers, DCDC converters and H bridge PWM motor drivers



产品应用:


Switch Mode Power Supply


Uninterruptable Power Supply


High Speed Power Switching



参数:


Channel 频道: N


VDSS 电压:600V


ID 电流: 10A


VGS 启动电压: ±30V


RDS(on)Max.导通电阻:1ohm


RDS(on) @VGS : 10V


RDS(on) @ID:5A


ROSH :PF(无铅)


Package:TO-220AB



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