GS1006HE_R1_00001,GS1006HE_R1_00001 pdf中文资料,GS1006HE_R1_00001引脚图,GS1006HE_R1_00001电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GS1006HE_R1_00001

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GS1006HE_R1_00001: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GS1006HE_R1_00001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon,

GS1006HE_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	CATHODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压	600 V
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL

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