GMZJ2.0B_R2_10001,GMZJ2.0B_R2_10001 pdf中文资料,GMZJ2.0B_R2_10001引脚图,GMZJ2.0B_R2_10001电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GMZJ2.0B_R2_10001

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GMZJ2.0B_R2_10001: 产品描述Zener Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小240KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GMZJ2.0B_R2_10001概述

Zener Diode

GMZJ2.0B_R2_10001规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-LELF-R2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	100 Ω
JESD-30 代码	O-LELF-R2
膝阻抗最大值	1000 Ω
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	2 V
最大反向电流	120 µA
反向测试电压	0.5 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
最大电压容差	9.09%
工作测试电流	5 mA
Base Number Matches	1

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