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GBJ808

产品描述Single Phase 8.0A Silicon Bridge Rectifiers 单相8.0安培硅桥式整流器
产品类别分立半导体   
文件大小99KB,共2页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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GBJ808概述

Single Phase 8.0A Silicon Bridge Rectifiers 单相8.0安培硅桥式整流器

功能特点

产品名称:Single Phase 8.0A Silicon Bridge Rectifiers 单相8.0安培硅桥式整流器


产品型号:GBJ808


产品特征:


UL Recognized File # E-230084


Rating to 1000V PRV


Ideal for printed circuit board


Low forward voltage drop,high current capability


Reliable low cost construction utiliaing molded plastic technique results in inexpensive product


The plastic material has UL Flammablilty Classification 94V-0



最大额定值和电气特性:


Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.


Single phase, half wave, 50 Hz, resistive or inductive load.


For capacitive load, derate current by 20%



产品数据:


Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 最大反向峰值电压 :800V



Maximum RMS Voltage VRMS 电压有效值 :560V



Maximum DC blocking Voltage VDC 最大直流阻断电压:800V



Maximum Average Forward (with heatsink Note 2) Rectified Current @TC = 100℃ (with heatsink) IF(AV) 最大正向电流 :8.0 A



Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Super imposed on Rated Load IFSM 最大正向浪涌电流 :170 A



Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop Per Leg @ 3.0A/4.0A/5.0A VF 最大正向压降 :1.0/1.0/1.05 V



Maximum DC Reverse Current TJ=25℃ IR 最大反向漏电流 :5.0μA


At Rated DC blocking voltage TJ = 125℃ IR 最大反向漏电流 :500μA



(I^2)t Rating for fusing (t<8.3ms) (I^2)t :120 (A^2)S



Typical Junction Capacitance per Leg (Note1) CJ :55 pF



Typical Thermal Resistance (Note2) R*JC :1.8/1.6/1.4 ℃/W



Operating Temperature Range TJ 工作结温 :-55 to +150 ℃



Storage Temperature Range TSTG储存温度范围:-55 to +150 ℃



封装: KBJ6


GBJ808规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流170 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流8 A
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
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