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FS8205A

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:38mΩ @ 5.2A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道 双N沟道增强型功率MOSFET 与DW01+G配套
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小45KB,共4页
制造商台湾富晶(FORTUNE)
官网地址http://www.ic-fortune.com/
富晶從成立開始就秉持著貼近市場,滿足客戶需求的服務理念執著前行。時至今日,消費類電子產品已日趨走向低價化、綠能化、時尚化、輕薄化。富晶堅信有實力去迎接這一時代的來臨,更有能力去創造更輝煌的明天。
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FS8205A概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:38mΩ @ 5.2A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道 双N沟道增强型功率MOSFET 与DW01+G配套

FS8205A规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻38mΩ @ 5.2A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型双N沟道
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