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FDN338P: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：115mΩ @ 1.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小618KB，共2页; 制造商友台半导体(UMW); 官网地址http://www.umw-ic.com/; UMW 是中国大陆领先的 LDO、MOSFET、DC/DC、RS-232、RS-485、ESD/TVS、光耦合器、逻辑电路、温度传感器供应商。UTD 的解决方案可实现低风险开发、降低总体系统成本并加快各种全球应用的上市时间。

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漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：115mΩ @ 1.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道

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