F25L16QA-86DG2S,F25L16QA-86DG2S pdf中文资料,F25L16QA-86DG2S引脚图,F25L16QA-86DG2S电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> F25L16QA-86DG2S

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F25L16QA-86DG2S: 产品描述Flash, 16MX1, PDIP8, 0.300 INCH, 2.54 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8; 产品类别存储存储; 文件大小468KB，共48页; 制造商台湾晶豪(ESMT); 官网地址http://www.esmt.com.tw/; 晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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F25L16QA-86DG2S概述

Flash, 16MX1, PDIP8, 0.300 INCH, 2.54 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8

F25L16QA-86DG2S规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	台湾晶豪(ESMT)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
最大时钟频率 (fCLK)	86 MHz
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
长度	9.27 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	SERIAL
编程电压	2.7 V
座面最大高度	5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
类型	NOR TYPE
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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