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ES3D-B

产品描述直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):950mV @ 3A 反向恢复时间(trr):35ns
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小537KB,共3页
制造商台湾安邦(AnBon)
官网地址http://www.formosagr.com/

安邦科技(AS)是全球领先的半导体行业SiC二极管、Si二极管、MOS芯片及封装制造商,其核心技术具有上下游一体化优势,专注于MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发和生产,产品涵盖汽车、工业和商业领域。

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ES3D-B概述

直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):950mV @ 3A 反向恢复时间(trr):35ns

ES3D-B规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)200V
平均整流电流(Io)3A
正向压降(Vf)950mV @ 3A
反向恢复时间(trr)35ns

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