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ES1G

产品描述反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小551KB,共3页
制造商台湾美丽微(FMS)
官网地址http://www.formosagr.com/
FMS公司为领先业界的全球制造商与供货商,拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事TVS、肖特基二极管、快恢复二极管、桥堆二极管、MOS功率半导体等分离式器件的研发及生产。FMS搭配洞察市场趋势的观察力,不断推出符合市场需求的薄型化封装。同时为布局产品细分市场及公司营销战略规划,MOS产品推出安邦半导体品牌(Anbon Semi),该品牌同为深圳市美丽微半导体所有。
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ES1G概述

反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A

ES1G规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)35ns
直流反向耐压(Vr)400V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.3V @ 1A

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