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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CESD5V0D7

CESD5V0D7: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 117W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小1MB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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CESD5V0D7概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 117W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

功能特点

产品名称：ESD保护二极管

产品型号：CESD5V0D7

产品描述：

The CESD5V0D7 is designed to protect voltage sensitive

components from ESD. Excellent clamping capability, low leakage,

and fast response time provide best in class protection on designs that

are exposed to ESD. Because of its small size, it is suited for use in

cellular phones, MP3 players, digital cameras and many other portable

applications where board space is at a premium.

产品特性：

Stand?off Voltage: 3.3 V?12 V

Low Leakage

Response Time is Typically < 1 ns

ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model

IEC61000?4?2 Level 4 ESD Protection

These are Pb?Free Devices

产品参数：

Pd 耗散功率：100mW

Vrwm 反向工作峰值电压：5V

V(BR) 击穿电压： Min=6.2V Max=7.3V

IR 最大反向漏电流：1uA

IT 测试电流：1mA

VC 夹紧电压：13.3V

IPP 反向脉冲电流峰值：8.8A

C 容值：65+pF

封装：SOD-723

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