BZT52C12S,BZT52C12S pdf中文资料,BZT52C12S引脚图,BZT52C12S电路-Datasheet-电子工程世界

BZT52C12S: 产品描述齐纳二极管; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小550KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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BZT52C12S概述

齐纳二极管

功能特点

产品名称：齐纳二极管

产品型号：BZT52C12S

产品特征：

Planar die construction

200mW power dissipation on ceramic PBC

General purpose, Medium current

Ideally suited for automated assembly processes

Available in Lead free version

产品参数：

Pd 耗散功率：200mW

Vz 稳定电压：Nom=12V Min=11.4V Max=12.7V

Zzt击穿阻抗：25Ω

Zzk击穿阻抗：150Ω

IR 反向电流：0.1uA

Vf 正向压降：0.9V

封装：SOD-323

BZT52C12S规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	25 Ω
元件数量	1
最高工作温度	150 °C
最大功率耗散	0.2 W
标称参考电压	12 V
表面贴装	YES
最大电压容差	5%
工作测试电流	5 mA

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