BZT52-B9V1S-AU_R2_000A1,BZT52-B9V1S-AU_R2_000A1 pdf中文资料,BZT52-B9V1S-AU_R2_000A1引脚图,BZT52-B9V1S-AU_R2_000A1电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BZT52-B9V1S-AU_R2_000A1

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BZT52-B9V1S-AU_R2_000A1: 产品描述Zener Diode,; 产品类别分立半导体二极管; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZT52-B9V1S-AU_R2_000A1概述

Zener Diode,

BZT52-B9V1S-AU_R2_000A1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	10 Ω
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
膝阻抗最大值	100 Ω
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.2 W
参考标准	AEC-Q101
标称参考电压	9.1 V
最大反向电流	0.1 µA
反向测试电压	7 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
最大电压容差	2%
工作测试电流	5 mA
Base Number Matches	1

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