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BLF6G27-10G: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共15页; 制造商安谱隆(Ampleon); 官网地址http://www.ampleon.com/; Ampleon 创立于 2015 年，但在射频功率领域已引领行业 50 多年。展望未来，公司希望通过在高频应用领域用先进的 LDMOS 和 GaN 技术创新来让世界变得更美好。Ampleon 在全球拥有 1,600 多名员工，致力于通过紧密的合作与伙伴关系、创新的能力和出色的执行力，使其客户成功使用上其射频功率产品。其一致的创新型产品组合为 4G LTE 和 5G NR 基础设施、工业、科学、医疗、广播、航空航天和国防应用带来了一流的产品和解决方案。

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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V
最大漏极电流 (ID)	3.5 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	R-CDSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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