BC847BPN_R2_00001,BC847BPN_R2_00001 pdf中文资料,BC847BPN_R2_00001引脚图,BC847BPN_R2_00001电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BC847BPN_R2_00001

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BC847BPN_R2_00001: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor,; 产品类别分立半导体晶体管; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BC847BPN_R2_00001概述

Small Signal Bipolar Transistor,

BC847BPN_R2_00001规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	45 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN AND PNP
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz

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