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BAV199LT1

产品描述Rectifier Diode, 0.215A, 70V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共2页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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BAV199LT1概述

Rectifier Diode, 0.215A, 70V V(RRM)

BAV199LT1规格参数

参数名称属性值
厂商名称长电科技(JCET)
Reach Compliance Codeunknown
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.215 A
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装YES
招聘硬件工程师
研发工程师:工作地点 北京大兴职位描述:负责公司智能仪表方面的研发职位要求:1.测控、自动化、电子等相关专业本科以上学历2. 精通C语言编程,熟悉其他相关的开发语言3. 丰富的数字,模拟电路的开发经验4. 三年以上ARM、AVR等嵌入式相关研发经验(包括测量前端通道、AD转换、液晶显示、数据存储、通讯等相关开发经验),具备独立完成硬件设计及软件开发工作5. 思维敏捷,有强烈的责任心,有良好的团队合...
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