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BAT54S KL4

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA 30V,0.2A,VF=1V@0.1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小467KB,共2页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

BAT54S KL4概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA 30V,0.2A,VF=1V@0.1A

BAT54S KL4规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)30V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1V @ 100mA
初用手记
网友送的这个板子有段时间了,一直没空拿出来试试。开始可以点个LED灯试试,该板带仿真模块,一根USB线可以仿真烧录,小巧玲珑,麻省虽小,五脏俱全,吾之最爱。接了ST7565的液晶模块,该模块是串行工作模式,引脚加上电源也只有7根线即可应用。因为我是从51转过来学习MSP430的,有些思路和习惯可能一时改不过来,比如最简单的位操作,在51里就能很方便地用指令sbitCS1=P2^4;sbitRES=...
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