电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

AS8205M

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道(共漏) N沟道,20V 5A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小708KB,共4页
制造商台湾安邦(AnBon)
官网地址http://www.formosagr.com/

安邦科技(AS)是全球领先的半导体行业SiC二极管、Si二极管、MOS芯片及封装制造商,其核心技术具有上下游一体化优势,专注于MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发和生产,产品涵盖汽车、工业和商业领域。

下载文档 详细参数 全文预览

AS8205M概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道(共漏) N沟道,20V 5A

AS8205M规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻23mΩ @ 4.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型双N沟道(共漏)
iCoupler磁耦隔离技术与光耦隔离技术
最近工作需要,接触了一些光耦、磁耦隔离的技术,也许大家都很熟悉,也请多多指教。现分享下[b]1、ADI磁耦数字隔离器原理介绍[/b]磁耦是一种数字隔离器,可替代光耦,并在速度、耐温、使用性能等各方面都优于光耦。与光耦不同,磁耦是基于芯片级的变压器隔离技术,没有经光耦的光电转换过程。并且体积远远小于传统的光电耦合器件。目前已被广泛应用于电力电子、工业控制、各种现场总线、通讯、A/D转换、PDP、等各...
clark 模拟电子
射频功率的一篇论文
[i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:20 编辑 [/i]写论文可能对大家有用...
dgqbt 电子竞赛
资料下载---如何用ZIGBEE进行"定位"开发
GPS只能在室外定位,但若需要在室内实现定位功能怎么办呢?利用ZIGBEE技术实现定位就是一种不错的解决方案,同时该技术也可在室外实现定位。...
老施看无线 RF/无线
晒晒我的创意
2014第四届中国教育机器人大赛结束了,从湖南回来休息了几天,算是缓过来了。搞比赛的后期连续通宵三晚,一个字,累!!!这次比赛我们学校有六个队参加,每个队选两个项目,我们队选的是 高铁游中国 以及 创意。游中国是我队友在做,我负责创意。说实在的 做创意特费脑筋,不懂做啥好,之前师兄做过 智能飞行器、“宠物机器人”和棋类的,参考之下愣是没能憋个好想法出来,白白浪费了好多时间,到最后还剩不到十天的时候...
dj狂人 51单片机
这个芯片没有了吗还是改名了,因为太老了
这个芯片没查到,谁知道这个芯片改名字后叫什么,如果停产了,要用什么代替啊...
S3S4S5S6 模拟电子
关于NRF24L01无线模块电压和中断IQR怎样屏蔽呢?
在NRF24L01模块和51单片机组成的系统中,NRF24L01的电压为3.3V,但在写进单片机程序后,测量NRF24L01的电压VCC为1V左右,为什么呢?那出了问题?IQR的中断怎么屏蔽呢?我设置了 发送模式下:SPI_RW_Reg(WRITE_REG + CONFIG, 0x7e);但单片机仍然响应中断,是那设置错了?发送模式的程序如下,我想只发送,这样读回的status 值是多少呢?请帮帮...
chengbo6277 综合技术交流
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved