APM4953,APM4953 pdf中文资料,APM4953引脚图,APM4953电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> APM4953

APM4953: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小575KB，共5页; 制造商合科泰(Hottech); 官网地址http://www.heketai.com; 合科泰成立于1992年，专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET，二极管、TVS、桥堆，三极管等分立器件和集成电路，为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件，广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。

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APM4953概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道

APM4953规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4.9A
栅源极阈值电压	3V @ 250uA
漏源导通电阻	55mΩ @ 5.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2W
类型	双P沟道

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