电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

AO3400

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小657KB,共3页
制造商时科(SHIKUES)
官网地址http://www.shike.tw
时科,源自中国台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来,在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下,以安全、低能耗、高性能为宗旨,时科半导体的研发战略从来没有动摇过,近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作,每年研发费用占总收入的22%左右,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,时科迅速发展,产品远销到北美、欧洲和亚太地区,被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化,更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要,从概念设计到生产制造,我们将提供全程支持。展望未来,我们将立足创新,不断为客户、员工和全社会创造价值,通过降低能耗、改善安全,提升性能,重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质,我们将全力以赴,践行承诺。
下载文档 详细参数 全文预览

AO3400概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V

AO3400规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.8A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻35mΩ @ 5.8A,10V
类型N沟道

推荐资源

小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved