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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> 80N06-251

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80N06-251: 产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 -; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小2MB，共6页; 制造商谷峰(GOFORD); 官网地址http://www.goford.cn/; 深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR，于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核，提供高可靠性的产品；不断的技术研发创新，满足细分市场的需求和产品的性价比；全球布局的视野，不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌！

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80N06-251概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 -

80N06-251规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	80A(Tc)
栅源极阈值电压	2.4V @ 250uA
漏源导通电阻	13mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	71W(Tc)
类型	N沟道

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