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4N60F

产品描述MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小656KB,共9页
制造商谷峰(GOFORD)
官网地址http://www.goford.cn/
深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR,于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核,提供高可靠性的产品;不断的技术研发创新,满足细分市场的需求和产品的性价比;全球布局的视野,不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌!
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4N60F概述

MOSFET

功能特点

产品名称:MOSFET


产品型号:4N60F


产品描述:


This Power MOSFET is produced using


advanced planar stripe DMOS technology.


This latest technology has been especially


designed to minimize on-state resistance,


Have a high rugged avalanche


characteristics.These devices are well suited


for high efficiency switched mode power


supplies, active power factor


correction.electronic lamp ballasts based on


half bridge topology.


参数:


Drain-Source Voltage VDS 600 V


Drain Current-Continuous ID 4A


Drain Current -Pulsed (Note 1) IDM 16 A


Maximum Power Dissipation PD 100W


VGS Gate-to-Source Voltage ± 30 V


EAS Single PulseAvalanche Energy 160 mJ


Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 To 150 ℃


dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 4.5 V/ns


封装:TO-220F

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