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4N60: 产品描述MOSFET; 产品类别分立半导体; 文件大小656KB，共9页; 制造商谷峰(GOFORD); 官网地址http://www.goford.cn/; 深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR，于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核，提供高可靠性的产品；不断的技术研发创新，满足细分市场的需求和产品的性价比；全球布局的视野，不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌！

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4N60概述

MOSFET

功能特点

产品名称：MOSFET

产品型号：4N60

产品描述：

This Power MOSFET is produced using

advanced planar stripe DMOS technology.

This latest technology has been especially

designed to minimize on-state resistance,

Have a high rugged avalanche

characteristics.These devices are well suited

for high efficiency switched mode power

supplies, active power factor

correction.electronic lamp ballasts based on

half bridge topology.

参数：

Drain-Source Voltage VDS 600 V

Drain Current-Continuous ID 4A

Drain Current -Pulsed (Note 1) IDM 16 A

Maximum Power Dissipation PD 100W

VGS Gate-to-Source Voltage ± 30 V

EAS Single PulseAvalanche Energy 160 mJ

Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 To 150 ℃

dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 4.5 V/ns

封装：TO-220

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