2N7002（丝印12W）,2N7002（丝印12W） pdf中文资料,2N7002（丝印12W）引脚图,2N7002（丝印12W）电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> 2N7002（丝印12W）

2N7002（丝印12W）: 产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：430mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小344KB，共6页; 制造商时科(SHIKUES); 官网地址http://www.shike.tw; 时科，源自中国台湾，全球知名的半导体分立元器件厂商之一，主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件，为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗及电源应用等产品带来更优质的感知体验。自创办以来，在“让产品拥有良芯”的核心理念指导下，以安全、低能耗、高性能为宗旨，时科半导体的研发战略从来没有动摇过，近四分之一的员工在研发与产品设计领域工作，每年研发费用占总收入的22%左右，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，时科迅速发展，产品远销到北美、欧洲和亚太地区，被认为是半导体行业最具创新力的公司之一。时科将会在安全、能耗和性能方面不断优化，更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要，从概念设计到生产制造，我们将提供全程支持。展望未来，我们将立足创新，不断为客户、员工和全社会创造价值，通过降低能耗、改善安全，提升性能，重点关注如何利用技术研发改善公众生活品质，我们将全力以赴，践行承诺。

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2N7002（丝印12W）概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：430mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道

2N7002（丝印12W）规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	430mA
栅源极阈值电压	2.5V @ 250uA
漏源导通电阻	3Ω @ 400mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	830mW
类型	N沟道

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