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2N7002W

产品描述Small Signal Mosfet 小信号MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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2N7002W概述

Small Signal Mosfet 小信号MOSFET

115 mA, 60 V, N沟道, 硅, 小信号, 场效应管

功能特点

产品名称:Small Signal Mosfet 小信号MOSFET


产品型号:2N7002W


产品参数:


Channel通道:N


Configuration配置:Single


Drain-Source Voltage漏源极电压:VDSS:60V


Gate-Source Voltage栅源极电压最大值:VGSS:20V


Drain Current漏极电流:ID:0.115A


Static Drain-Source On-Resistance: Vgs=10V,Rdson (max.):5Ω;Vgs=4.5V,Rdson (max.):7.5Ω


Input Capacitance输入电容: Vds=25V,Ciss:50pF


Reverse Transfer Capacitance反向传输电容: Vds=25V,Crss:5pF


Gate Charge门电荷: Vgs=5.0 (10) V,Qg:0.6nC



Package封装:SOT-323



2N7002W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA-LOW RESISTANCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.115 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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