漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):340mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道 60V 0.34A
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | 扬杰科技(YANGJIE) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.34 A |
最大漏源导通电阻 | 2.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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