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2N7002E

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.3A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小1MB,共5页
制造商台湾安邦(AnBon)
官网地址http://www.formosagr.com/

安邦科技(AS)是全球领先的半导体行业SiC二极管、Si二极管、MOS芯片及封装制造商,其核心技术具有上下游一体化优势,专注于MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发和生产,产品涵盖汽车、工业和商业领域。

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2N7002E概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.3A

2N7002E规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻3Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型N沟道
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