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1N5819: 产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小165KB，共2页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 45 V, 硅, 信号二极管

1N5819规格参数

参数名称	属性值
端子数量	1
元件数量	1
加工封装描述	DIE-2
状态	DISCONTINUED
包装形状	SQUARE
包装尺寸	UNCASED 芯片
表面贴装	Yes
端子形式	NO 铅
端子涂层	锡铅
端子位置	UPPER
包装材料	UNSPECIFIED
工艺	SCHOTTKY
结构	单一的
壳体连接	隔离
二极管元件材料	硅
二极管类型	信号二极管
最大重复峰值反向电压	45 V
最大平均正向电流	1 A

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