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CL32C103GBFNNNE PDF数据手册

CL32C103GBFNNNE

产品描述
10000 pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 1210(3225 公制)
产品类别无源元件    电容器   
文件大小9MB,共129页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CL32C103GBFNNNE概述

一般多层陶瓷片状电容器

高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片
宽电容范围
宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V
高度可靠的性能
高耐端接金属
应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机;
调谐器(产品代码 C 适合)
对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格

CL32C103GBFNNNE规格参数

参数名称属性值
类别无源元件;电容器
厂商名称SAMSUNG(三星)
系列CL
包装卷带(TR)剪切带(CT)
电容10000 pF
容差±2%
电压 - 额定50V
温度系数C0G,NP0
工作温度-55°C ~ 125°C
应用通用
安装类型表面贴装,MLCC
封装/外壳1210(3225 公制)
大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
厚度(最大值)0.057"(1.45mm)

CL32C103GBFNNNE 相似产品对比

CL32C103GBFNNNE CL32A107MQVNFNE CL10B222KB8NCNC CL55B475KBJNNNF
描述 10000 pF ±2% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 1210(3225 公制) 100 µF ±20% 6.3V 陶瓷电容器 X5R 1210(3225 公制) 2200 pF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 0603(1608 公制) 4.7 µF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 2220(5750 公制)
类别 无源元件;电容器 无源元件;电容器 无源元件;电容器 无源元件;电容器
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
系列 CL CL CL CL
包装 卷带(TR)剪切带(CT) 卷带(TR)剪切带(CT) 卷带(TR)剪切带(CT) 卷带(TR)
电容 10000 pF 100 µF 2200 pF 4.7 µF
容差 ±2% ±20% ±10% ±10%
电压 - 额定 50V 6.3V 50V 50V
温度系数 C0G,NP0 X5R X7R X7R
工作温度 -55°C ~ 125°C -55°C ~ 85°C -55°C ~ 125°C -55°C ~ 125°C
应用 通用 通用 通用 通用
安装类型 表面贴装,MLCC 表面贴装,MLCC 表面贴装,MLCC 表面贴装,MLCC
封装/外壳 1210(3225 公制) 1210(3225 公制) 0603(1608 公制) 2220(5750 公制)
大小 / 尺寸 0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm) 0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm) 0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 0.224" 长 x 0.197" 宽(5.70mm x 5.00mm)
厚度(最大值) 0.057"(1.45mm) 0.110"(2.80mm) 0.035"(0.90mm) 0.106"(2.70mm)

CL32C103GBFNNNE 同类产品

型号 制造商 类别 描述 文档
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