| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| VS-40TPS12APBF | Vishay(威世) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：55A 通态电流 (It (AV)) (Max)：35A 断态电压Vdrm：1200V 栅极触发电压：2.5V 类型：单向可控硅 栅极触发电流：150mA | 下载 |
| VS-40TPS08PBF | Vishay(威世) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：55A 通态电流 (It (AV)) (Max)：35A 断态电压Vdrm：800V 栅极触发电压：2.5V 类型：单向可控硅 栅极触发电流：150mA | 下载 |
| VS-40TPS08APBF | Vishay(威世) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：55A 通态电流 (It (AV)) (Max)：35A 断态电压Vdrm：800V 栅极触发电压：1.85V 类型：单向可控硅 栅极触发电流：150mA | 下载 |
| VS-40TPS12AP-S1 | Vishay(威世) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：55A 通态电流 (It (AV)) (Max)：35A 断态电压Vdrm：1200V 栅极触发电压：2.5V 类型：单向可控硅 栅极触发电流：150mA | 下载 |
| BTA08-600CRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：25mA | 下载 |
| DB3 | ST(意法半导体) | 转折电流：100uA 转折触发电压：28 ~ 36V 峰值输出电流：2A | 下载 |
| T835-600G-TR | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：35mA | 下载 |
| Z0107NN5AA4 | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：1A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：800V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：5mA | 下载 |
| BTB06-600CWRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：6A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：35mA 6A,600V,35mA | 下载 |
| T1235-600G-TR | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：12A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：35mA | 下载 |
| BTA12-600SWRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：12A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：10mA 600V 12A | 下载 |
| BTA26-800BRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：25A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：800V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：50mA 800V 25A | 下载 |
| ACST410-8BTR | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：4A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：800V 栅极触发电压：1V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：10mA 4A，800V | 下载 |
| AVS10CB | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：- 类型：双向可控硅 栅极触发电流：- | 下载 |
| T405-800B-TR | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：4A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：800V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：5mA | 下载 |
| BTA16-600CRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：16A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：25mA | 下载 |
| TS820-600T | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 通态电流 (It (AV)) (Max)：5A 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：800mV 类型：单向可控硅 栅极触发电流：200uA | 下载 |
| BTA10-600BRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：10A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：50mA | 下载 |
| BTA12-800BWRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：12A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：800V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：50mA | 下载 |
| TN1215-600B | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：12A 通态电流 (It (AV)) (Max)：8A 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：单向可控硅 栅极触发电流：15mA 出产日期为2011年 | 下载 |
| BTA10-600GPRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：10A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.5V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：25mA | 下载 |
| BTA26-800BWRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：25A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：800V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：50mA 25A，800V，双向可控硅。 | 下载 |
| DB4 | ST(意法半导体) | 转折电流：50uA 转折触发电压：35 ~ 45V 峰值输出电流：2A | 下载 |
| BTA06-600CWRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：6A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：35mA | 下载 |
| BTA16-700BWRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：16A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：700V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：50mA 16A，700V，双向可控硅。 | 下载 |
| T810-600B-TR | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：10mA | 下载 |
| MC74HC4538ADG | ON Semiconductor(安森美) | 逻辑类型：单稳态 额外特性：施密特触发器 | 下载 |
| C106D1G | ON Semiconductor(安森美) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：4A 通态电流 (It (AV)) (Max)：2.55A 断态电压Vdrm：400V 栅极触发电压：800mV 类型：单向可控硅 栅极触发电流：200uA | 下载 |
| M74VHC1G135DFT1G | ON Semiconductor(安森美) | 逻辑类型：与非门 额外特性：施密特触发器, 开路漏极 | 下载 |
| BTA16-600BRG | ST(意法半导体) | 通态电流(It (RMS)) (Max)：16A 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 断态电压Vdrm：600V 栅极触发电压：1.3V 类型：双向可控硅 栅极触发电流：50mA | 下载 |
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