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TS635IDWT

器件型号TS635IDWT
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1281.93,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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器件名 厂商 描述
TS635IDT STMicroelectronics TS635IDT是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为MICRO, PLASTIC, SO-8TS635IDT的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值...
TS635ID STMicroelectronics DUAL WIDE BAND OPERATIONAL AMPLIFIER FOR ADSL LINE INTERFACE
TS635IDW STMicroelectronics DUAL WIDE BAND OPERATIONAL AMPLIFIER FOR ADSL LINE INTERFACE

TS635IDWT参数描述

TS635IDWT放大器基础信息:

TS635IDWT是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为EXPOSED PAD, PLASTIC, SO-8

TS635IDWT放大器核心信息:

TS635IDWT的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为26025℃下的最大偏置电流为:15 µA他的最大平均偏置电流为30 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TS635IDWT的标称压摆率有40 V/us。厂商给出的TS635IDWT的最大压摆率为15 mA,而最小压摆率为23 V/us。其最小电压增益为5000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TS635IDWT增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为130000 kHz。TS635IDWT的功率为YES。其可编程功率为NO。

TS635IDWT的标称供电电压为6 V,其对应的标称负供电电压为-6 V。TS635IDWT的输入失调电压为6000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

TS635IDWT的相关尺寸:

TS635IDWT的宽度为:3.9 mm,长度为4.9 mmTS635IDWT拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:8

TS635IDWT放大器其他信息:

TS635IDWT采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TS635IDWT的频率补偿情况是:YES (AVCL>=2)。其温度等级为:INDUSTRIAL。

而其湿度敏感等级为:1。其不属于微功率放大器。TS635IDWT不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G8。其对应的的JESD-609代码为:e4。

TS635IDWT的封装代码是:HSOP。TS635IDWT封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。TS635IDWT封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG。其端子形式有:GULL WING。

座面最大高度为1.75 mm。

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