| 器件名 | 厂商 | 描述 |
|---|---|---|
| MCP6L72T-E/MS | Microchip Technology Inc | DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
| MCP6L72T-E/SN | Microchip Technology Inc | DUAL OP-AMP, 4000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDSO8 |
| LM258AMDREPG4 | Texas Instruments | Enhanced Product Dual Operational Amplifiers 8-SOIC -55 to 125 |
| LM358AWN | STMicroelectronics | DUAL OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
| LM158AWN | STMicroelectronics | DUAL OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
| LM158AWPT | STMicroelectronics | DUAL OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, PDSO8, TSSOP-8 |
LM258AWN放大器基础信息：
LM258AWN是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, DIP-8
LM258AWN放大器核心信息：
LM258AWN的最低工作温度是-40 °C，最高工作温度是105 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.05 µA他的最大平均偏置电流为0.1 µA
厂商给出的LM258AWN的最大压摆率为1 mA，而最小压摆率为0.3 V/us。其最小电压增益为25000。LM258AWN的功率为NO。其可编程功率为NO。
LM258AWN的标称供电电压为5 V。而其供电电源的范围为：5 V。LM258AWN的输入失调电压为4000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LM258AWN的标称供电电压为5 V。
LM258AWN的相关尺寸：
LM258AWN拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
LM258AWN放大器其他信息：
LM258AWN采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LM258AWN的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：INDUSTRIAL。
其属于微功率放大器。LM258AWN不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-PDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e3。LM258AWN的封装代码是：DIP。
LM258AWN封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。LM258AWN封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
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