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LM358N

器件型号LM358N
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1417.5,共5页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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器件替换

器件名 厂商 描述
LM358N/NOPB Texas Instruments Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin PDIP Tube
KA358 ON Semiconductor 增益带宽积(GBP):- 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):- 电源电压:3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V
LM358NG ON Semiconductor 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:1.5mA 压摆率(SR):0.6 V/us 电源电压:3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V 双运算放大器,LM358 DIP8封装,LM Series 0.6 V/us 32 V Single Supply Quad Operational Amplifier - PDIP-8
LM358N ON Semiconductor 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.6 V/us 电源电压:3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V
LM358DR2 Rochester Electronics LLC DUAL OP-AMP, 7000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8
LM358D Texas Instruments Op Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC Tube
LM358DR2G ON Semiconductor Op Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC N T/R
LM358M/NOPB Texas Instruments Low Power Dual Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
LM358MX/NOPB Texas Instruments Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC T/R
LM358DG ON Semiconductor Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Dual Lo PWR Commercial Temp
LM358M ON Semiconductor IC OPAMP GP 8SOIC
KA358D Fairchild Semiconductor Corporation Operational Amplifiers - Op Amps DISC BY MFG 7/03
LM358MX ROHM Semiconductor Digital Isolators Quad Ch2.5kV Isltr 150M, 2/2, NB SOIC16
KA358DTF ON Semiconductor 增益带宽积(GBP):- 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):- 电源电压:3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V
LM358SNG ON Semiconductor Operational Amplifiers - Op Amps ANA LO PWR 2CH OP AMP

LM358N参数描述

LM358N放大器基础信息:

LM358N是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

LM358N放大器核心信息:

LM358N的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.25 µA他的最大平均偏置电流为0.5 µA

厂商给出的LM358N的最大压摆率为2 mA.其最小电压增益为15000。

LM358N的标称供电电压为5 V。LM358N的输入失调电压为9000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

LM358N的相关尺寸:

LM358N的宽度为:7.62 mm,长度为9.2 mmLM358N拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8

LM358N放大器其他信息:

LM358N采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM358N的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:COMMERCIAL。LM358N不符合Rohs认证。

其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。LM358N的封装代码是:DIP。LM358N封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。

而其封装形状为RECTANGULAR。LM358N封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为4.55 mm。

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