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LM358N: 器件型号LM358N; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小1417.5，共5页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件替换

器件名	厂商	描述
LM358N/NOPB	Texas Instruments	Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin PDIP Tube
KA358	ON Semiconductor	增益带宽积（GBP）：- 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：- 电源电压：3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V
LM358NG	ON Semiconductor	增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：1.5mA 压摆率（SR）：0.6 V/us 电源电压：3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V 双运算放大器，LM358 DIP8封装，LM Series 0.6 V/us 32 V Single Supply Quad Operational Amplifier - PDIP-8
LM358N	ON Semiconductor	增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：0.6 V/us 电源电压：3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V
LM358DR2	Rochester Electronics LLC	DUAL OP-AMP, 7000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8
LM358D	Texas Instruments	Op Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC Tube
LM358DR2G	ON Semiconductor	Op Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC N T/R
LM358M/NOPB	Texas Instruments	Low Power Dual Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
LM358MX/NOPB	Texas Instruments	Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC T/R
LM358DG	ON Semiconductor	Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Dual Lo PWR Commercial Temp
LM358M	ON Semiconductor	IC OPAMP GP 8SOIC
KA358D	Fairchild Semiconductor Corporation	Operational Amplifiers - Op Amps DISC BY MFG 7/03
LM358MX	ROHM Semiconductor	Digital Isolators Quad Ch2.5kV Isltr 150M, 2/2, NB SOIC16
KA358DTF	ON Semiconductor	增益带宽积（GBP）：- 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：- 电源电压：3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V
LM358SNG	ON Semiconductor	Operational Amplifiers - Op Amps ANA LO PWR 2CH OP AMP

LM358N参数描述

LM358N放大器基础信息：

LM358N是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

LM358N放大器核心信息：

LM358N的最低工作温度是，最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.25 µA他的最大平均偏置电流为0.5 µA

厂商给出的LM358N的最大压摆率为2 mA.其最小电压增益为15000。

LM358N的标称供电电压为5 V。LM358N的输入失调电压为9000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

LM358N的相关尺寸：

LM358N的宽度为：7.62 mm，长度为9.2 mmLM358N拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8

LM358N放大器其他信息：

LM358N采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM358N的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：COMMERCIAL。LM358N不符合Rohs认证。

其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-PDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LM358N的封装代码是：DIP。LM358N封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。

而其封装形状为RECTANGULAR。LM358N封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为4.55 mm。

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