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FDB070AN06A0

在4个相关元器件中,FDB070AN06A0有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FDB070AN06A0 Fairchild 15 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
FDB070AN06A0 ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm 下载
FDB070AN06A0_F085 Fairchild mosfet N-channel powertrench mosfet 下载
FDB070AN06A0-F085 ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 下载
FDB070AN06A0的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码418AJ
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionFDB070AN06A0, N-channel MOSFET Transistor, 80 A 60 V, 3-Pin TO-263AB
雪崩能效等级(Eas)190 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)80 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.007 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)175 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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