器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
FDB070AN06A0 | Fairchild | 15 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 下载 |
FDB070AN06A0 | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm | 下载 |
FDB070AN06A0_F085 | Fairchild | mosfet N-channel powertrench mosfet | 下载 |
FDB070AN06A0-F085 | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | 下载 |
MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
制造商包装代码 | 418AJ |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
Samacsys Description | FDB070AN06A0, N-channel MOSFET Transistor, 80 A 60 V, 3-Pin TO-263AB |
雪崩能效等级(Eas) | 190 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A |
最大漏极电流 (ID) | 15 A |
最大漏源导通电阻 | 0.007 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 175 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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