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BC639G

在2个相关元器件中,BC639G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BC639G ON Semiconductor(安森美) Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN 下载
BC639G Rochester Electronics 1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-92, 3 PIN 下载
BC639G的相关参数为:

器件描述

1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-92, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码TO-92
包装说明LEAD FREE, CASE 29-11, TO-92, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 29-11
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-226
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e1
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
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