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15SQ045

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小122KB,共3页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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15SQ045概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN

15SQ045规格参数

参数名称属性值
包装说明PLASTIC, R-6, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流275 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压45 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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15SQ045
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
For PV Solar Cell Bypass Protection
FEATURES
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
– 45 Volts
– 15 Amperes
Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High surge&current capability, low VF
APPLICATION
R6
For use in Solar Cell junction box as a bypass diode for
protection, using DC forward current without reverse bias
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC R-6 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.07 ounces, 2.1grams
Mounting position: Any
• Soldering condition : Temp 260℃±5 (Duration 10±1s)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
PARAMETER
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
@Tc=115°C
SYMBOL
V
RRM
V
DC(AV)
I
F
I
FSM
V
F
IR
C
J
R
Θ
JL
R
Θ
JC
R
Θ
JA
15SQ045
45
45
15
UNIT
V
V
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at 15A DC
Note(1)
Tj=25°C
275
A
0.55
1.0
100
1300
2.0
7.0
40
150
≦200
-55 to +150
V
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Tj=25°C
Blocking Voltage
Tj=100°C
Typical Thermal Resistance (Note 2)
mA
pF
Typical thermal resistance (Note 3)
°C/W
Operating junction temperature
Junction temperature in DC forward current without reverse
bias, t
1 h
Storage temperature range
Note :
T
J
Tj
(Note 4)
T
STG
°C
°C
°C
REV. 4, Apr-2013, KDHG02
(1) 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
(2) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 V
DC
.
(3) Thermal Resistance test performed in accordance with JESD-51;
RthjL is measured on 1mm from body and RthjC is measured on surface center of body.
(4) Meets the requirement of IEC 61215 ed. 2 bypass diode thermal test.
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