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EMG6T2R

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL DIGITAL NPN/NPN INPUT RESISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共10页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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EMG6T2R概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL DIGITAL NPN/NPN INPUT RESISTOR

EMG6T2R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-107
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-F5
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
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