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SPN1012S52RG

产品描述N-channel enhancement mode mosfet
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小196KB,共8页
制造商擎力科技(SYNC POWER)
官网地址http://www.syncpower.com/

擎力科技股份有限公司为专业类比IC设计公司,于2004/02/01正式成立,同时进驻台北市南港软体园区( NKSP ),擎力科技产品主要应用于电源管理系统。

擎力科技股份有限公司结合美国及台湾高科技IC设计人才,精心于电源管理IC的设计与开发,并同步开发设计场效功率元件 Trench POWER MOSFET 及 TVS ESD 静电防护元件,提供客户更具竞争力的电源管理系统零组件,并有效保护电子产品的使用安全性。

擎力科技股份有限公司拥有多项同步整流电源管理IC美国专利,依此专利技术不断衍生发展,设计更具前瞻性与高效能的电源管理IC,与世界级电源管理设计公司同步前进。

擎力科技采用高密度 Trench POWER MOSFET 制程设计产品 ,并采用业界最先进封装及最精细封装型式,特别适用于手持式电子产品系统 。

擎力科技 TVS ESD 静电防护元件为最先进封装型式,且于多家国际性系统厂商所採用,精微的封装型式特别适用于电子通讯产品 ,有效且精密的保护系统使用安全。

擎力科技股份有限公司依同步成长方式提供更紧密的客户服务,于产业技术与市场竞争方面,让客户与擎力科技达成共享双赢的新局。

擎力科技股份有限公司依循环保法规禁用物质规定,发展无污染原物料之绿色产品,于国际知名认证机构 SGS 检验核订,完全符合ROHS世界环保规范。

擎力科技股份有限公司于 2005/09 通过 AFQA ( ISO 9001: 2008 ) 认证 。

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SPN1012S52RG概述

N-channel enhancement mode mosfet

SPN1012S52RG规格参数

参数名称属性值
厂商名称擎力科技(SYNC POWER)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant

SPN1012S52RG文档预览

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SPN1012
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION
The SPN1012 is the N-Channel enhancement mode
power field effect transistors are produced using high cell
density , DMOS trench technology. This high density
process is especially tailored to minimize on-state
resistance and provide superior switching performance.
These devices are particularly suited for low voltage
applications such as notebook computer power
management and other battery powered circuits where
high-side switching , low in-line power loss, and
resistance to transients are needed.
APPLICATIONS
Drivers : Relays/Solenoids/Lamps/Hammers
Power Supply Converter Circuits
Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
FEATURES
N-Channel
20V/0.65A,R
DS(ON)
=380mΩ@V
GS
=4.5V
20V/0.55A,R
DS(ON)
=450mΩ@V
GS
=2.5V
20V/0.45A,R
DS(ON)
=800mΩ@V
GS
=1.8V
Super high density cell design for extremely low
RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC
current capability
SOT-523 (SC-89) package design
PIN CONFIGURATION( SOT-523 / SC-89 )
PART MARKING
2007/01/ 02
Ver.2
Page 1
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