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SPN3414: 产品描述溝槽式場效電晶體; 产品类别分立半导体; 文件大小197KB，共8页; 制造商擎力科技(SYNC POWER); 官网地址http://www.syncpower.com/; 擎力科技股份有限公司为专业类比IC设计公司，于2004/02/01正式成立，同时进驻台北市南港软体园区( NKSP )，擎力科技产品主要应用于电源管理系统。

擎力科技股份有限公司结合美国及台湾高科技IC设计人才，精心于电源管理IC的设计与开发，并同步开发设计场效功率元件 Trench POWER MOSFET 及 TVS ESD 静电防护元件，提供客户更具竞争力的电源管理系统零组件，并有效保护电子产品的使用安全性。

擎力科技股份有限公司拥有多项同步整流电源管理IC美国专利，依此专利技术不断衍生发展，设计更具前瞻性与高效能的电源管理IC，与世界级电源管理设计公司同步前进。

擎力科技采用高密度 Trench POWER MOSFET 制程设计产品，并采用业界最先进封装及最精细封装型式，特别适用于手持式电子产品系统。

擎力科技 TVS ESD 静电防护元件为最先进封装型式，且于多家国际性系统厂商所採用，精微的封装型式特别适用于电子通讯产品，有效且精密的保护系统使用安全。

擎力科技股份有限公司依同步成长方式提供更紧密的客户服务，于产业技术与市场竞争方面，让客户与擎力科技达成共享双赢的新局。

擎力科技股份有限公司依循环保法规禁用物质规定，发展无污染原物料之绿色产品，于国际知名认证机构 SGS 检验核订，完全符合ROHS世界环保规范。

擎力科技股份有限公司于 2005/09 通过 AFQA ( ISO 9001: 2008 ) 认证。

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SPN3414概述

溝槽式場效電晶體

功能特点

产品名称：溝槽式場效電晶體

产品型号：SPN3414

产品描述：

The SPN3414 is the N-Channel logic enhancement mode

power field effect transistors are produced using high cell

density , DMOS trench technology.

This high density process is especially tailored to

minimize on-state resistance.

These devices are particularly suited for low voltage

application such as cellular phone and notebook

computer power management and other battery powered

circuits where high-side switching , and low in-line

power loss are needed in a very small outline surface

mount package.

参数：

TYPE：N

VDSS：20V

VGS：12V

VTH：min 0.4

Max 1

IDS：4A 当25 C时

RDS：55mΩ 4.5V时

70mΩ 2.5V时

PD：1.25W

封装：SOT-23-3L

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SPN3414

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION

The SPN3414 is the N-Channel logic enhancement mode

power field effect transistors are produced using high cell

density , DMOS trench technology.

This high density process is especially tailored to

minimize on-state resistance.

These devices are particularly suited for low voltage

application such as cellular phone and notebook

computer power management and other battery powered

circuits where high-side switching , and low in-line

power loss are needed in a very small outline surface

mount package.

FEATURES

20V/4.0A,R

DS(ON)

=55mΩ@V

=4.5V

20V/3.4A,R

DS(ON)

=70mΩ@V

=2.5V

20V/2.8A,R

DS(ON)

=90mΩ@V

=1.8V

Super high density cell design for extremely low

RDS (ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC

current capability

SOT-23-3L package design

APPLICATIONS

Power Management in Note book

Portable Equipment

Battery Powered System

DC/DC Converter

Load Switch

DSC

LCD Display inverter

PIN CONFIGURATION(SOT-23-3L)

PART MARKING

2008/07/20

Ver.4

Page 1

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