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SPN1026S56RG

产品描述dual N-channel enhancement mode mosfet
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小256KB,共9页
制造商擎力科技(SYNC POWER)
官网地址http://www.syncpower.com/

擎力科技股份有限公司为专业类比IC设计公司,于2004/02/01正式成立,同时进驻台北市南港软体园区( NKSP ),擎力科技产品主要应用于电源管理系统。

擎力科技股份有限公司结合美国及台湾高科技IC设计人才,精心于电源管理IC的设计与开发,并同步开发设计场效功率元件 Trench POWER MOSFET 及 TVS ESD 静电防护元件,提供客户更具竞争力的电源管理系统零组件,并有效保护电子产品的使用安全性。

擎力科技股份有限公司拥有多项同步整流电源管理IC美国专利,依此专利技术不断衍生发展,设计更具前瞻性与高效能的电源管理IC,与世界级电源管理设计公司同步前进。

擎力科技采用高密度 Trench POWER MOSFET 制程设计产品 ,并采用业界最先进封装及最精细封装型式,特别适用于手持式电子产品系统 。

擎力科技 TVS ESD 静电防护元件为最先进封装型式,且于多家国际性系统厂商所採用,精微的封装型式特别适用于电子通讯产品 ,有效且精密的保护系统使用安全。

擎力科技股份有限公司依同步成长方式提供更紧密的客户服务,于产业技术与市场竞争方面,让客户与擎力科技达成共享双赢的新局。

擎力科技股份有限公司依循环保法规禁用物质规定,发展无污染原物料之绿色产品,于国际知名认证机构 SGS 检验核订,完全符合ROHS世界环保规范。

擎力科技股份有限公司于 2005/09 通过 AFQA ( ISO 9001: 2008 ) 认证 。

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SPN1026S56RG概述

dual N-channel enhancement mode mosfet

SPN1026S56RG规格参数

参数名称属性值
厂商名称擎力科技(SYNC POWER)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant

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SPN1026
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION
The SPN1026 is the Dual N-Channel enhancement
mode field effect transistors are produced using high
cell density DMOS technology. These products have
been designed to minimize on-state resistance while
provide rugged, reliable, and fast switching
performance. They can be used in most applications
requiring up to 320mA DC and can deliver pulsed
currents up to 1.0A. These products are particularly
suited for low voltage, low current applications such as
small servo motor control, power MOSFET gate
drivers, and other switching applications.
APPLICATIONS
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Display, Memories, Transistors, etc.
High saturation current capability. Direct
Logic-Level Interface: TTL/CMOS
Battery Operated Systems
Solid-State Relays
FEATURES
60V/0.50A , R
DS(ON)
= 4.0Ω@V
GS
=10V
60V/0.30A , R
DS(ON)
= 5.0Ω@V
GS
=5V
Super high density cell design for extremely low
R
DS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC
current capability
SOT-563 / SC-89-6L package design
PIN CONFIGURATION( SOT-563 / SC-89-6L )
PART MARKING
2006/12/18
Ver.2
Page 1
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