擎力科技股份有限公司为专业类比IC设计公司，于2004/02/01正式成立，同时进驻台北市南港软体园区( NKSP )，擎力科技产品主要应用于电源管理系统。
擎力科技股份有限公司结合美国及台湾高科技IC设计人才，精心于电源管理IC的设计与开发，并同步开发设计场效功率元件 Trench POWER MOSFET 及 TVS ESD 静电防护元件，提供客户更具竞争力的电源管理系统零组件，并有效保护电子产品的使用安全性。
擎力科技股份有限公司拥有多项同步整流电源管理IC美国专利，依此专利技术不断衍生发展，设计更具前瞻性与高效能的电源管理IC，与世界级电源管理设计公司同步前进。
擎力科技采用高密度 Trench POWER MOSFET 制程设计产品 ，并采用业界最先进封装及最精细封装型式，特别适用于手持式电子产品系统 。
擎力科技 TVS ESD 静电防护元件为最先进封装型式，且于多家国际性系统厂商所採用，精微的封装型式特别适用于电子通讯产品 ，有效且精密的保护系统使用安全。
擎力科技股份有限公司依同步成长方式提供更紧密的客户服务，于产业技术与市场竞争方面，让客户与擎力科技达成共享双赢的新局。
擎力科技股份有限公司依循环保法规禁用物质规定，发展无污染原物料之绿色产品，于国际知名认证机构 SGS 检验核订，完全符合ROHS世界环保规范。
擎力科技股份有限公司于 2005/09 通过 AFQA ( ISO 9001: 2008 ) 认证 。
溝槽式場效電晶體
功能特点
产品名称：溝槽式場效電晶體
产品型号：SPN6562
产品描述：
The SPN6562 is the Dual N-Channel enhancement mode
power field effect transistors are produced using high cell
density , DMOS trench technology. This high density
process is especially tailored to minimize on-state
resistance and provide superior switching performance.
These devices are particularly suited for low voltage
applications such as notebook computer power
management and other battery powered circuits where
high-side switching , low in-line power loss, and
resistance to transients are needed.
参数：
TYPE： N
VDSS：30V
VGS： 12V
VTH：min0.8
Max 1.6
IDS：2.8A 当25 C时
RDS：75mΩ 4.5V时
105mΩ 2.5V时
PD：1.15W
封装：SOT-23-6L
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