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CJ78L08-TO-92: 产品描述three-terminal positive voltage regulator; 文件大小118KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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CJ78L08-TO-92概述

three-terminal positive voltage regulator

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONIC TECHNOLOGYS CO.,LTD

TO-92 Encapsulate Three-terminal Voltage Regulator

ＴＯ－９２　

CJ78L08

Three

-terminal positive voltage regulator

FEATURES

１．ＯＵＴ　

２．ＧＮＤ　

３．ＩＮ　

1 2 3

Maximum Output

current　

OM:

0.1 A　

Output voltage

: 8 V

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Operating temperature range applies unless otherwise specified）　

Parameter　

Input Voltage　

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol　

Ｖ

Ｔ

OPR

Ｔ

STG

Value

３０　

０—＋１２５　

－５５—＋１５０　

Unlts

Ｖ　

　　　　　　　　℃　

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(VI=14V,Io=40mA,0℃<Tj<125℃,C1=0.33μF,Co=0.1μF, unless otherwise specified )

Parameter

Symbol

Ｔ½＝２５℃　

Output voltage

Ｖ½　

１０．５Ｖ≤Ｖ

≤２３Ｖ，　Ｉ½＝１½Ａ－４０½Ａ　

１０．５Ｖ≤Ｖ

≤２３Ｖ，　Ｉ½＝１½Ａ－７０½Ａ　

Load Regulation

Line regulation

Quiescent Current

Quiescent Current Change　

Output Noise VoItage

Ripple Rejection

Dropout Voltage

TYPICAL APPLICATION

△Ｖ½　

　Ｉ½　

△Ｉ½　

　Ｖ

Ｎ

　ＲＲ　

　Ｖ½　

UTC

　　ＣＪ７８Ｌ０８

Test conditions

MIN

７．７　

７．６　

３７　

TYP

８．０　

１８　

１０　

４２　

３６　

４　

５４　

４６　

１．７　

MAX

８．３　

８．４　

８０　

４０　

１７５　

１２５　

６　

１．５　

０．１　

UNIT

　　Ｖ　

（½½½½）　

　　½Ｖ　

　　½Ａ　

　　½Ｖ　

　　½Ｂ　

　　　Ｖ　

Ｔ½＝２５℃，　Ｉ½＝１½Ａ－１００½Ａ　

Ｔ½＝２５℃，　Ｉ½＝１½Ａ－４０½Ａ　

１０．５Ｖ≤Ｖ

≤２３Ｖ，　Ｔ½＝２５℃　

１１Ｖ≤Ｖ

≤２３Ｖ，　Ｔ½＝２５℃　

Ｔ½＝２５℃　

１１Ｖ≤Ｖ

≤２３Ｖ　

１½Ａ≤Ｉ

　Ｏ

≤４０½Ａ　

１０Ｈ½≤½≤１００ＫＨ½　

１３Ｖ≤Ｖ

≤２３Ｖ，½＝１２０Ｈ½，Ｔ½＝２５℃　

Ｔ½＝２５℃　

２

　　Ｃ０　

　Ｃ１　　　　　　　　　　　　

０．１μＦ　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．３３μＦ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

Note : Bypass capacitors are recommended for optimum stability and transient response and should be located as close as

possible to the regulators.

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