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P6KE62

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小50KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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P6KE62概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

P6KE62规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, PRSM-MIN
最大击穿电压68.2 V
最小击穿电压55.8 V
击穿电压标称值62 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压89 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
最大重复峰值反向电压50.2 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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