600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
包装说明 | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, PRSM-MIN |
最大击穿电压 | 68.2 V |
最小击穿电压 | 55.8 V |
击穿电压标称值 | 62 V |
外壳连接 | ISOLATED |
最大钳位电压 | 89 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-15 |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 600 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 5 W |
最大重复峰值反向电压 | 50.2 V |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
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