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HSD1616A

产品描述60V 1A NPN 外延平面型晶体管
产品类别分立半导体   
文件大小54KB,共5页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HSD1616A概述

60V 1A NPN 外延平面型晶体管

功能特点

产品名称:60V 1A NPN 外延平面型晶体管


产品型号:HSD1616A


产品描述:


The HSD1616A is designed for audio frequency power amplifier and medium speed switching applications.



参数:


Type: NPN


BVCEO: 60V


IC: 1A


PD: 0.75W


hFE: MIN 135


hFE: Max. 600


VCE(sat): Max. 0.3V


RoHS: PF(无铅)


Package: TO-92


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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6534
Issued Date : 1998.06.01
Revised Date : 2003.05.03
Page No. : 1/5
HSD1616A
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSD1616A is designed for audio frequency power amplifier and medium
speed switching applications.
Absolute Maximum Ratings
TO-92
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150
°C
Junction Temperature ..................................................................................................................... 150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ............................................................................................................... 750 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)
VCBO Collector to Base Voltage ...................................................................................................................... 120 V
VCEO Collector to Emitter Voltage ..................................................................................................................... 60 V
VEBO Emitter to Base Voltage ............................................................................................................................. 6 V
IC Collector Current (DC) ...................................................................................................................................... 1 A
IC Collector Current *(Pulse) ................................................................................................................................. 2 A
Thermal Characteristic
Characteristic
Thermal Resistance, junction to ambient
Symbol
Rθja
Max
167
Unit
o
C/W
Electrical Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
ton
ts
tf
Min.
120
60
6
-
-
-
-
600
135
81
100
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
150
0.9
-
-
-
160
-
0.07
0.95
0.07
Max.
-
-
-
100
100
300
1.2
700
600
-
-
19
-
-
-
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
V
mV
Test Conditions
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=60V
VEB=6V
IC=1A, IB=50mA
IC=1A, IB=50mA
VCE=2V, IC=50mA
VCE=2V, IC=100mA
VCE=2V, IC=1A
VCE=2V, IC=100mA
IE=0, VCB=10V, f=1MHz
VCE=10V, IC=100mA
IB1=-IB2=10mA
VBE(off)=-2~-3V
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
MHz
pF
uS
uS
uS
Classification of hFE1
Rank
Range
Y
135-270
G
200-400
L
300-600
HSD1616A
HSMC Product Specification
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